[发明专利]一种非连续陶瓷增强剂增强的金属基复合材料的制备方法无效
申请号: | 97105014.7 | 申请日: | 1997-01-13 |
公开(公告)号: | CN1091171C | 公开(公告)日: | 2002-09-18 |
发明(设计)人: | 陈声琦;周延春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C23C16/22 | 分类号: | C23C16/22 |
代理公司: | 沈阳科苑专利代理有限责任公司 | 代理人: | 张晨 |
地址: | 110015 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种非连续陶瓷增强剂增强的金属基复合材料的制备方法,适用于用非连续增强剂增强的金属基复合材料,其特征在于在制备金属基复合材料之前,将非连续增强剂表面预制该金属基体涂层,涂层厚度在20~100μm;可适用的金属基体材料选择为Ni-Cr-Al-Ti、Fe-Ni-C、Ni-Ti合金,Ni、Mo、Cu金属,增强剂选择为TiC、WC、SiC、TiB2的颗粒或晶须。本发明制备出的金属基复合材料具有更为良好的性能,且成本提高不多。 | ||
搜索关键词: | 一种 连续 陶瓷 增强 金属 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种非连续陶瓷增强剂增强的金属基复合材料的制备方法,适用于用非连续增强剂增强的金属基复合材料,其特征在于:采用粉末冶金方法,即带金属涂层的陶瓷与金属按比例混合,经高温烧结,得到复合材料;在制备金属基复合材料之前,将非连续增强剂表面预制该金属基体涂层,涂层厚度在20~100μm;可适用的金属基体材料选择为Ni-Cr-Al-Ti、Fe-Ni-C、Ni-Ti合金、Ni、Mo或Cu金属,增强剂选择为TiC、WC、SiC、TiH2的颗粒或晶须;其中,金属基体选择为Ni-Cr-Al-Ti、Fe-Ni-C或Ni-Ti合金,增强剂选择为TiC或WC镀Ni膜,增强剂的加入量占总体积的30~80%;金属基体选择为Cu基复合材料,增强剂选择为SiC晶须,TiB2、Mo颗粒镀Cu膜,增强剂加入量占总体积的5~50%;金属基体选择为Ni基复合材料,增强剂选择为SiC晶须镀Ni膜,增强剂加入量占总体积的30~70%。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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