[发明专利]高通量中性原子束流的制备技术无效
| 申请号： | 97105079.1 | 申请日： | 1997-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1112837C | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | 沈嘉年;周龙江;何砚发;李铁藩;李美栓 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属腐蚀与防护研究所 |
| 主分类号： | H05H3/02 | 分类号： | H05H3/02 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种高通量中性原子束流的制备技术，适用于能够产生分子气体的原子，首先将分子气体放电形成等离子体，再由强磁场约束成高密度等离子体束，要求密度大于1012离子/cm3，其特征在于：以一带负偏压的高原子序数金属板作为中性化靶，金属板的原子序较要形成原子束的原子序数大30以上，所施加的负偏压应使等离子体束的入射动能在5-60ev范围内，由中性靶上反射出来的即所需中性原子束。本发明获得高通量、高纯度的中性原子束流。 | ||
| 搜索关键词： | 通量 中性 原子 制备 技术 | ||
【主权项】：
1.一种高通量中性原子束流的制备方法，适用于能够产生分子气体的原子，首先将分子气体放电形成等离子体，再由强磁场约束成高密度等离子体束，要求密度大于1012离子/cm3，其特征在于：以一带负偏压的金属板作为中性化靶，金属板的原子序数较要形成原子束的原子序数大30以上，所施加的负偏压应使等离子体束的入射动能在5-60ev范围内，由中性靶上反射出来的即所需中性原子束。
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