[发明专利]形成快闪存储器的浮置栅极的方法

摘要

一种快闪存储器的浮置栅极的制造方法，其可以保持浮栅的预定宽度，避免存储能力损失。该方法包括步骤在半导体基底上形成场氧化物层；形成栅氧化物层和导电层；在导电层上依次形成第一氧化物层和氮化硅层；形成一光阻材料图形；选择性蚀刻上述氮化硅层、第一氧化物层和导电层；用离子注入法形成源/漏极区；去除上述光阻图形；形成一钝化层，对钝化层进行各向异性蚀刻，在上述浮栅侧壁形成一隔离层；在上述氮化硅层上形成一个第二氧化物层；和形成一个控制栅极。

主权项

1.一种形成一快闪存储器的一个浮置栅极的方法，该快闪存储器在所述浮置栅极和控制栅极之间具有一个介电层，其步骤如下：在一个半导体基底上形成场氧化物层；在上述基底上形成用作浮置栅极的一个栅氧化物层和一个导电层；在上述导电层上依次形成一个第一氧化物层和一个氮化硅层；形成一个光致抗蚀剂图形；选择性蚀刻上述氮化硅层、上述第一氧化物层、和上述导电层；用离子注入工艺形成源/漏极区；去除上述光致抗蚀剂图形，从而形成一第一所得结构；在该第一所得结构上形成一个非掺杂多晶硅层；以及对上述非掺杂多晶硅层采用各向异性蚀刻工艺，在上述浮置栅极的侧壁上形成一个隔离层，以防上述浮置栅极的侧壁被氧化；在上述氮化硅层上形成一个第二氧化物层，从而形成一第二所得结构；和在上述第二所得结构上形成一个控制栅极。