[发明专利]高温相偏硼酸钡(α-BaB2O4)晶体的生长方法无效

专利信息
申请号: 97106378.8 申请日: 1997-04-15
公开(公告)号: CN1062319C 公开(公告)日: 2001-02-21
发明(设计)人: 徐军;邓佩珍 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00
代理公司: 上海华东专利事务所 代理人: 李兰英
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种高温相偏硼酸钡(α-BaB2O4)晶体的生产方法,采用坩埚下降法,是从熔体的底部结晶,坩埚下降自下而上形成晶体。所用的生长装置是电阻加热温梯炉,炉内坩埚底部有籽晶槽,顶部有盖。坩埚内加入按1∶(1+x)(x=0~0.1)配比的高纯BaCO3和BaO3粉料,经混合压块成形后装入。用坩埚下降法生长高温相偏硼酸钡(α-BaB2O4)晶体,克服了提拉法生长外形不规整、易开裂和尺寸小的问题,能够生长出大尺寸的α-BaB2O4晶体。$#!
搜索关键词: 高温 硼酸 bab2o4 晶体 生长 方法
【主权项】:
1.一种高温相偏硼酸钡(α-BaB2O4)晶体的生长方法,其特征在于置于电阻加热温梯炉内的坩埚(1)内的α-BaB2O4熔体是从底部[001]定向籽晶开始结晶,坩埚(1)下降,固液界面自下而上移动至形成晶体。
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