[发明专利]制备稀土离子掺杂LN、LT光学超晶格材料及其应用无效
申请号: | 97107133.0 | 申请日: | 1997-09-29 |
公开(公告)号: | CN1092253C | 公开(公告)日: | 2002-10-09 |
发明(设计)人: | 陆延青;郑建军;闵乃本 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | C30B29/68 | 分类号: | C30B29/68;H01S3/16 |
代理公司: | 南京苏高专利事务所 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 210093*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 制备稀土离子掺杂光学超晶格材料的方法及应用,根据提拉法或室温极化制备Er3+、Pr3+、Ho3+等掺杂的光学超晶格LN、LT晶体。由于该材料集LN、LT的优秀非线性光学性质和稀土离子丰富的光谱特性于一身,在单一泵光的激励之下,可同时实现准位相匹配倍频与频率上转换这两种截然不同的过程,获得上转换与倍频光的同时输出,从而填补了短波长激光器与双波长激光器研究中的一个空白,可望在全色显示、激光医疗、光通讯等领域发挥重要的作用! | ||
搜索关键词: | 制备 稀土 离子 掺杂 ln lt 光学 晶格 材料 及其 应用 | ||
【主权项】:
1、一种制备稀土离子掺杂LN、LT光学超晶格材料的方法,以提拉法生长掺Er3+、Pr3+、Ho3+的LiNbO3、LiTaO3,其特征是在材料中掺入0.1-1.0mol%的Er2O3,在晶体生长时人为地使晶体转轴偏离温场轴对称中心约1-2cm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学,未经南京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/97107133.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:钛合金基弥散强化的复合物
- 下一篇:螺旋藻营养粉丝粉皮的制作方法