[发明专利]半导体只读存储器和读取存储在该存储器中的数据的方法

摘要

一种具有分级位线结构的NOR型掩膜ROM装置，包括，比例为2∶1的第一和第二位线装置；分别对应第二位线的地线；每一个连接在第一位线的相应的奇数位线的一端和第二位线的相应位线的一端之间的第一开关；每一个连接在第二位线的相应偶数位线的一端和地线的相应地线一端之间的第二开关装置；把在第一位线的至少一个选取位线两侧的第一位线的至少一相邻非选取位线充电到预定的电压电平的充电电路，在预充电操作完成后通过第二位线的至少一个选取的位线读出数据。

主权项

1.一种具有分级位线结构的半导体只读存储器，包括：多个第一位线；多个存储单元组，每一个连接在该第一位线的两个相邻位线之间；多个第二位线，该第一和第二位线的数量是按2∶1的比例；分别对应于该第二位线的多个地线；多个第一开关，每一个连接在与该第一开关相对应的奇数的第一位线的一端和与该第一开关相对应的第二位线的一端之间；多个第二开关，每一个连接在与该第二开关相对应的偶数的第一位线的一端和与该第二开关相对应的地线的一端之间；其特征在于，所述半导体只读存储器还包括：响应位线预充电控制信号而产生等于预充电电压的偏置电压的偏置电压产生电路和多个第三开关，每一个所述第三开关连接在与该第三开关相对应的地线的另一端和所述偏置电压产生电路之间，其中，在一个第二位线预充电期间，在至少一个被选取的第一位线的两侧有至少一个与该被选取的第一位线相对应的第一开关和至少一个与该被选取的第一位线相对应的第三开关，以便把该被选取的第一位线的至少一个相邻的非选取的第一位线充电到预定电压电平，当预充电操作完成时，通过至少一个被选取的第二位线读出数据。