[发明专利]组合基片只读存储器及其制造方法

摘要

一种组合基片只读存储器,具有第一、第二单晶硅基片和一绝缘材料基片,以及位于第一单晶硅基片上的字线驱动电路、字线驱动外围电路,位于第二单晶硅基片上的位线驱动电路、位线驱动外围电路,位于所述一绝缘材料基片上的只读存储单元矩阵电路,所述一绝缘材料基片的两个相邻侧面分别与所述第一单晶硅基片的一个侧面和所述第二单晶硅基片的一个侧面结合。本只读存储器具有省硅的特点。

主权项

1．一种组合基片只读存储器，具有单晶硅基片和只读存储单元矩阵电路和位于单晶硅基片上的字线驱动电路、字线驱动外围电路、位线驱动电路、位线驱动外围电路；所述只读存储单元矩阵电路的字线与所述字线驱动电路相连，所述只读存储单元矩阵电路的位线与所述位线驱动电路相连，其特征在于：还具有一绝缘材料基片；所述单晶硅基片包括：第一单晶硅基片和第二单晶硅基片；所述一绝缘材料基片的两个相邻侧面分别与所述第一单晶硅基片的一个侧面和所述第二单晶硅基片的一个侧面结合，所述一绝缘材料基片的上表面与所述第一单晶硅基片的上表面和所述第二单晶硅基片的上表面处于同一平面，所述一绝缘材料基片的上表面与所述第一单晶硅基片的上表面相接，所述一绝缘材料基片的上表面与所述第一单晶硅基片的上表面在相接处平滑过渡，所述一绝缘材料基片的上表面与所述第二单晶硅基片的上表面相接，所述一绝缘材料基片的上表面与所述第二单晶硅基片的上表面在相接处平滑过渡；所述只读存储单元矩阵电路的只读存储单元包括：一字线，所述一字线与其他字线平行，一金属氧化物绝缘层在所述一字线上，一位线在所述一金属氧化物绝缘层上，所述一位线与其他字线平行，所述一字线与所述一位线之间有一金属丝相连；所述只读存储单元矩阵电路在所述一绝缘基片上，所述字线驱动电路、字线驱动外围电路在所述第一单晶硅基片上，所述位线驱动电路、位线驱动外围电路在所述第二单晶硅基片上，所述字线驱动电路与所述字线驱动外围电路相连，所述位线驱动电路与所述位线驱动外围电路相连。