[发明专利]通过等离子体处理为限流聚合物提供低电阻电界面无效
申请号: | 97108729.6 | 申请日: | 1997-12-18 |
公开(公告)号: | CN1133179C | 公开(公告)日: | 2003-12-31 |
发明(设计)人: | W·K·汉纳;J·J·谢伊 | 申请(专利权)人: | 尹顿公司 |
主分类号: | H01C7/02 | 分类号: | H01C7/02;H01C7/10;H01C7/13;H01B1/06;H05B3/10 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静,杨晓光 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种新型限流PTC聚合物装置及其制造方法,该装置包括一种导电聚合物组合物和与其相连接的电极,该装置的特征在于具有低接触电阻。本发明提供了对导电聚合物组合物表面部分进行选择性处理的方法,这种选择性处理是通过等离子体浸蚀/电晕浸蚀和等离子体溅射/等离子体喷涂中至少一种而实现的,其结果是形成了能与电极连接而产生低接触电阻的活性点。本发明的电装置特别适于用在电路保护应用中。 | ||
搜索关键词: | 通过 等离子体 处理 限流 聚合物 提供 电阻 界面 | ||
【主权项】:
1.一种制造限流PTC聚合物装置的方法,包括:制备一种导电聚合物组合物,该导电聚合物组合物含有一种其中分散有导电微粒的聚合物;用包括等离子体浸蚀和等离子体溅射的等离子体处理过程处理该导电聚合物组合物的至少两个表面,其中等离子体浸蚀过程使得所述表面富含所述导电微粒,而所述等离子体溅射过程使得所述表面金属化,并且其中在所述等离子体溅射过程之前进行所述等离子体浸蚀过程;以及使至少两个电极与所述表面连接。
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