[发明专利]半导体衬底的制造方法无效
| 申请号： | 97109536.1 | 申请日： | 1997-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1135601C | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 坂口清文;米原隆夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造质量好重复性好的SOI衬底的方法。同时，重复使用晶片实现节约资源降低成本。该方法包括以下步骤：粘接第1和第2衬底的主表面，第1衬底是Si衬底，其中通过多孔Si层形成至少一层无孔薄膜；露出由第1和第2衬底构成的粘接衬底侧表面中的多孔硅层；氧化粘接衬底分割多孔Si层；除去由分割多孔Si层而分开的第2衬底上的多孔Si和氧化多孔Si层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、半导体衬底的制造方法，包括以下工艺步骤：第1衬底的主表面与第2衬底主表面粘接的步骤，所述第1衬底是Si衬底，其中至少有一层通过多孔Si层形成的无孔薄膜；露出由所述第1和第2衬底构成的粘接衬底的侧表面中的所述多孔Si层的步骤；氧化所述粘接衬底，在所述多孔Si层中分割所述粘接衬底的步骤；以及除去在所述多孔Si层中分割所述粘接衬底而分开的所述第2衬底上的多孔Si和氧化多孔Si层的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
