[发明专利]改善高温超导薄膜晶片性能的方法无效
| 申请号： | 97109935.9 | 申请日： | 1997-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1171635A | 公开（公告）日： | 1998-01-28 |
| 发明（设计）人： | 彭锡华 | 申请（专利权）人： | 纳幕尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01B12/06;C04B35/622 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒,王忠忠 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于降低高温超导薄膜的微波表面阻抗的方法,该方法包括(a)在高温超导薄膜(如Tl2Ba2CaCu2O8)的表面涂覆(优选旋涂)一保护涂层(优选聚甲基丙烯酸甲酯或聚酰亚胺);(b)将该涂覆的薄膜暴露于小角度惰性离子束中,该离子束的入射角相对于该涂覆的膜表面为5°—30°(优选10°—20°);以及(c)优选地包括从该薄膜表面去除任何残余保护层的步骤,例如通过暴露于氧等离子体中。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 高温 超导 薄膜 晶片 性能 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于从高温Tl-Ba-Ca-Cu-O超导薄膜表面去除粗糙物的方法，该方法包括将高温超导膜表面暴露于惰性离子束中，该离子束的入射角相对于该薄膜表面为5°-约30°。
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