[发明专利]半导体薄膜，半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 97109936.7 | 申请日： | 1997-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1169026A | 公开（公告）日： | 1997-12-31 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;宫永昭治;福永健司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，有源层只由单畴区构成。处于有源层下的绝缘膜有预定图形的特定的表面结构，包括凹凸形。为制成有源层，在衬底上溅射形成氧化硅膜。对氧化硅膜刻图形成表面结构。在氧化硅膜上用低压CVD形成非晶硅膜。使氧化硅膜和/或非晶硅膜中含促进结晶的金属元素。进行第1热处理使非晶硅膜变成结晶硅膜。之后在含卤素的气氛中进行第2热处理，在结晶硅膜上形成含卤的热氧化膜使结晶硅膜变成单畴区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、在衬底上形成的绝缘膜上的半导体薄膜，所述薄膜包括：单畴区，其中包括与所述衬底基本平行的许多柱形成针状晶体；所述绝缘膜处于所述薄膜之下，并有凹凸图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
