[发明专利]半导体装置及半导体装置的内部功能识别方法无效
申请号: | 97109942.1 | 申请日: | 1997-03-31 |
公开(公告)号: | CN1110095C | 公开(公告)日: | 2003-05-28 |
发明(设计)人: | 池谷正之;大林茂树 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;G11C29/00;G06F11/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 根据压焊区的电位从外部用非破坏方法检测设定内部功能的压焊选择功能。设有活化时根据特定压焊区(22)的电位将连接内部电路的压焊区有选择地导电性地连接到基准电位源节点上的检查用电路(30)。该检查用电路(30)在筛选方式检查信号(BI)活化时呈活化状态。通过检测该电路连接的压焊区导电性地连接的引线端子的漏电流,能在外部鉴别特定压焊区的电位即设定的内部功能。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 内部 功能 识别 方法 | ||
【主权项】:
1.一种能根据特定压焊区的电位确定内部功能的半导体装置,具有:与上述特定压焊区分开设置的、与内部电路导电性地连接的普通压焊区;以及接收检查指示信号和上述特定压焊区的电位,当上述检查指示信号活化时被激活后根据上述特定压焊区的电位将上述普通压焊区导电性地连接在基准电位源节点上的检查用装置,其特征在于:上述普通压焊区包含:与第1内部电路导电性连接的第1压焊区;以及与上述第1压焊区分开设置且与第2内部电路导电性连接的第2压焊区,上述检查用装置具有:接收上述检查指示信号和上述特定压焊区的电位,当上述检查指示信号活化时根据上述特定压焊区的电位将上述第1压焊区导电性地连接到上述基准电位源节点上的第1装置;以及当上述检查指示信号活化时根据上述特定压焊区的电位,与上述第1装置互补工作,将上述第2压焊区导电性地连接到上述基准电位源节点上的第2装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的