[发明专利]高压静噪滤波器及采用该滤波器的磁控管装置无效
| 申请号： | 97109943.X | 申请日： | 1997-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1075228C | 公开（公告）日： | 2001-11-21 |
| 发明（设计）人： | 落合宏;平石水市;吉原正训;中野康信 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01F27/32 | 分类号： | H01F27/32;H01F37/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于磁控管装置的一种高压静噪滤波器，包括用以产生阻抗之电感分量的线圈状导线；在所述导线表面上形成，用以产生该阻抗之电容分量的绝缘层；在所述导线的所述绝缘层的一部分上形成的导电层，该一部分包括所述导线的线圈部分和所述线圈部分的端接区域，以及至少在所述线圈部分的端接区域形成的具有半导体或绝缘体的高耐压层，所述高耐压层介于所述绝缘层与所述导电层之间。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 高压 滤波器 采用 磁控管 装置 | ||
【主权项】：
1．一种高压静噪滤波器，包括：用以产生阻抗之电感分量的线圈状导线；在所述导线表面上形成，用以产生该阻抗之电容分量的绝缘层；在所述导线的所述绝缘层的一部分上形成的导电层，该一部分包括所述导线的线圈部分和所述线圈部分的端接区域，其特征在于，所述滤波器还包括：至少在所述线圈部分的端接区域形成的具有半导体或绝缘体的高耐压层，所述高耐压层介于所述绝缘层与所述导电层之间。
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