[发明专利]半导体存储装置及其测试方法无效
| 申请号： | 97110232.5 | 申请日： | 1997-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN1121693C | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 小桥寿夫;月川靖彦 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种能够容易且迅速地向存储器单元的存储结点写入逻辑电平的半导体存储装置。设有用于把位线电平切换到电源电平、中间电平或接地电平的切换电路。通常把位线电平设定为中间电平。在特殊写入方式时，通过均衡器把电源电平或接地电平提供给全部位线，使所要字线上升到“H”电平，向与该字线相连的全部存储器单元的存储结点写入电源电平或接地电平。能够向用冗余存储器单元置换的存储器单元的存储结点中写入电源电平或接地电平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有特殊写入方式的半导体存储装置，其特征在于，包括：存储器阵列，包括行列状配置的多个存储器单元、与各行对应而设置的字线和与各列对应而设置的位线；均衡器，与各位线对应而设置，根据特殊写入方式的指令，把第一或第二逻辑电平提供给对应的位线对；写入装置，根据行地址信号，把所述存储器阵列中的任一字线做为选择电平，从所述均衡器向与该字线对应的全部存储器单元的存储结点中同时写入提供给所述位线对的第一或第二逻辑电平。
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