[发明专利]光学半导体器件无效
| 申请号： | 97110234.1 | 申请日： | 1997-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN1175808A | 公开（公告）日： | 1998-03-11 |
| 发明（设计）人： | 元田隆;小野健一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S3/18 | 分类号： | H01S3/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提高了活性层和夹层间的能量势垒,抑制了电子的溢出。在活性层3和P型第一上夹层4a间配置了交互地层叠(AlxGa(1－X)0.5In0.5P(x=0.7)层10a和(AlxGa(1－X))0.5In0.5P(x=1.0)层10b构成的超晶格势垒层10。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种光学半导体器件，其特征在于，包括：第一导电型夹层；第二导电型夹层；在上述第一导电型夹层和第二导电型夹层之间配置的、由半导体构成的活性层；在上述第二导电型夹层和活性层之间配置的、比上述活性层的禁带宽度还大的第一化合物半导体；比该第一化合物半导体的导带能量差ΔEc小而比价带能量差ΔEv大的第二化合物半导体；具有一对以上交互叠合构成的超晶格结构的第二导电型的超晶格势垒层。
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