[发明专利]半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 97110282.1 | 申请日： | 1997-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1057639C | 公开（公告）日： | 2000-10-18 |
| 发明（设计）人： | 游萃蓉;卢火铁;孙世伟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/283;H01L21/285 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体元件的制造方法，包括提供一多晶硅层，覆盖一硅基底或在该硅基底上方；在该多晶硅层上，提供一第一半球状硅晶粒层；以及在该第一半球状硅晶粒层上沉积一第二半球状硅晶粒层，其中该第一半球状硅晶粒层包括多个第一半球状硅晶粒，该第二半球状硅晶粒层包括多个第二半球状硅晶粒，使得第二半球状硅晶粒能在第一半球状硅晶粒上生长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，包括：提供一多晶硅层，覆盖一硅基底或在该硅基底上方；在该多晶硅层上，提供一第一半球状硅晶粒层；以及在该第一半球状硅晶粒层上沉积一第二半球状硅晶粒层，其中该第一半球状硅晶粒层包括多个第一半球状硅晶粒，该第二半球状硅晶粒层包括多个第二半球状硅晶粒，使得第二半球状硅晶粒能在第一半球状硅晶粒上生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97110282.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
