[发明专利]用于半导体器件的电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 97110594.4 | 申请日： | 1997-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN1139981C | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 曹元喆 | 申请（专利权）人： | LG半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于半导体器件的电容器及其制造方法，它能有效地增大其电容量、简化制造工艺。该电容器包括与任一杂质扩散区接触的栓塞层上的存储节点电极的第一圆柱形层，该第一圆柱形层包括同心于栓塞层上并与之接触的底层和有外表面和内表面与底层垂直并与之接触的壁层；和第二圆柱形层，每层包括有内外表面的与从底层以两个纵轴方向伸出的底层垂直并接触的壁层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于DRAM的半导体器件的电容器，DRAM包括多个晶体管和在每个晶体管两侧上的杂质扩散区，该电容器包含：一个存储节点电极，它包括与两侧边杂质扩散区中任一个接触的栓塞层，第一圆柱形层，它有同心于栓塞层并与之接触的底层和与底层垂直并与之接触的有外表面和内表面的壁层，和第二圆柱形层，每层包括壁层，该壁层有外表面和内表面，并垂直于从第一圆柱形层按两个纵轴方向伸出的底层并与之接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG半导体株式会社，未经LG半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97110594.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
