[发明专利]磁致电阻效应器件无效
| 申请号： | 97110841.2 | 申请日： | 1997-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1083597C | 公开（公告）日： | 2002-04-24 |
| 发明（设计）人： | 上口裕三;齐藤明子;齐藤和浩;福泽英明;岩崎仁志;佐桥政司 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁致电阻效应器件，具备具有金属缓冲层上形成的第1磁性层、上述第1磁性层上形成的非磁性中间层、以及在上述非磁性中间层上形成的第2磁性层构成的自旋阀膜，在上述金属缓冲层与第1磁性层之间的界面上设有平均厚度在0.3nm-2nm的原子扩散势垒层。或者第1磁性层改为由磁性基底层和铁磁性体层的叠层膜构成，在上述磁性基底层和铁磁性体层之间的界面上设有平均厚度在0.3nm-2nm的原子扩散势垒层。$#! | ||
| 搜索关键词： | 致电 效应 器件 | ||
【主权项】：
1.一种磁致电阻效应器件，具备具有金属缓冲层上形成的第1磁性层、上述第1磁性层上形成的非磁性中间层、以及在上述非磁性中间层上形成的第2磁性层构成的自旋阀膜，在上述金属缓冲层与第1磁性层之间的界面上设有平均厚度在0.3nm-2nm的原子扩散势垒层。
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