[发明专利]制造双扩散MOS晶体管的方法无效
| 申请号： | 97111474.9 | 申请日： | 1997-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1109358C | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 车承峻 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,张玉红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造双扩散MOS(DMOS)晶体管的改进方法，包括下列步骤，在进行POCl3掺杂之前，热氧化在半导体衬底上在先形成的氧化层以部分形成相对原的氧化层，在掺杂POCl3期间，使栅多晶硅层具有导电性，POCl3中的磷不能通过相对厚的氧化层，穿入衬底，制成的DMOS器件在P型体中具有沟道区，在源/漏区中有均匀的杂质浓度分布，导致了耐压的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 扩散 mos 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造双扩散MOS晶体管的方法，其包括下列步骤：制备半导体衬底；在半导体衬底上面形成第1绝缘层；按顺序在第1绝缘层上面，形成栅多晶硅层和第2绝缘层；对栅多晶硅层和第2绝缘层进行构图，以使在半导体层上形成源和漏的窗口；利用形成的掩模体通过离子注入，穿过源区窗口在衬底中形成第1导电型体；在栅多晶硅层的两侧壁上形成侧壁区；热氧化第1绝缘层的露出部分，以形成相对厚的氧化层；通过源和漏窗口，在衬底中形成第2导电型的源区和漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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