[发明专利]干式蚀刻器中残留气体的去除装置及去除方法无效
| 申请号： | 97111511.7 | 申请日： | 1997-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1148466C | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 金兑昱;卢寿光;朴晋澔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/08 | 分类号： | C23F1/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种干式蚀刻器的残留气体去除装置及方法。在具有真空预备室及蚀刻室的、将晶片装入室内在其表面蚀刻薄膜的同时能将室内的反应气体向外抽吸及排出的干式蚀刻器中，设有加热装置或清洗装置，加热装置对蚀刻室进行加热使气体分子活性化、清洗装置对晶片进行清洗，从而使被送到蚀刻室外部的晶片表面上残留的反应气体不会在空气中冷凝及液化。由此不需要去除残留气体的其他工序设备，提高了制造工序的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 残留 气体 去除 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种干式蚀刻器的残留气体去除装置，所述干式蚀刻器具有真空预备室及蚀刻室、可向该室内送入晶片并供给反应气体，然后在该晶片表面蚀刻薄膜，同时能够将残留在所述室内的蚀刻后的反应气体向外部抽吸及排出，其特征在于：在所述蚀刻室内设有加热装置，所述加热装置对所述蚀刻室进行加热使气体分子活性化，从而使干式蚀刻后被送到外部的晶片表面上残留的反应气体不会在空气中冷凝及液化。
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