[发明专利]用部分淀积和重新装载技术在半导体晶片上淀积膜的方法

摘要

在半导体晶片上淀积膜的方法，包括如下步骤将第一运送盒的第一组晶片装载到淀积设备中，淀积第一种材料。淀积第一膜后取出第一片晶片，装载另一晶片。然后在其余和增加的晶片上淀积第二膜。取出第二晶片，并把另一片晶片装入设备。如果设备具有N个分散头，则重复上述步骤，直到全部晶片均已装载，且第N个晶片已淀积具有期望厚度的复合膜。当最后晶片已经经历了最终淀积后终止淀积步骤，卸下最后晶片和第一运送盒的第一到第N-1片晶片。

主权项

1.一种在多个半导体晶片上形成膜的方法，包括如下步骤：在一化学汽相淀积设备中装载第一组多个半导体晶片；然后在该设备中，在该第一组多个晶片中的每一片上淀积第一种材料的第一膜；然后从设备中取出第一组中的第一片晶片；然后在未从设备中取出的第一组晶片上淀积第一种材料的第二膜，以使它们其上包含第一和第二膜的复合膜；然后从设备中取出第一组中的第二片晶片；然后将第一组中的第一片晶片重新装载到该设备中；然后在重新装载的第一片晶片上淀积第一材料的第三膜，以使重新装载的第一晶片其上包含第一和第三膜的复合膜。