[发明专利]功率半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 97111663.6 | 申请日： | 1997-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1094658C | 公开（公告）日： | 2002-11-20 |
| 发明（设计）人： | 金台勋 | 申请（专利权）人： | 快捷韩国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/744 | 分类号： | H01L29/744;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件，该器件具有形成于阱中源区之间的第一导电类型重掺杂半导体材料的欧姆接触区、形成于阱区中各源区下的扩散层，该扩散层的掺杂量轻于欧姆接触区，重于阱。形成器件的方法包括以下步骤在阱中源区间形成欧姆接触区，该区有第一导电类型的重掺杂半导体材料；在阱中各源区之下形成禁止闭锁区，该区包围各源区的底部，扩散区的掺杂量轻于欧姆接触区，重于阱。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，包括：用第一导电类型的半导体材料重掺杂的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成并用第二导电类型的半导体材料重掺杂的缓冲层；在所述缓冲层上以外延生长方式形成的半导体层，该层由所述第二导电类型的半导体材料轻掺杂；在所述半导体层上形成并用所述第一导电类型的半导体材料轻掺杂的阱区；在所述半导体层上形成的栅多晶硅层，所述半导体层和栅多晶硅层之间夹有栅氧化层，多晶硅层覆盖所述阱区的一部分，但不是全部；在所述阱区中形成的两个源区，两源区彼此隔开，且皆由所述第二导电类型的半导体材料重掺杂，所述源区借助在其上形成金属电极彼此电连接；在所述阱区中形成用所述第一导电类型的半导体材料重掺杂的欧姆接触区；及在所述阱区中所述源区之下形成的扩散区，该扩散区包围所述两源区的各底部，但不延伸到栅氧化层底部之下的沟道，所述扩散区的掺杂量轻于所述欧姆接触区，但重于所述阱区。
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