[发明专利]用于制造半导体器件的接触掩模无效
| 申请号： | 97111834.5 | 申请日： | 1997-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1087494C | 公开（公告）日： | 2002-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李根镐 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/469 | 分类号： | H01L21/469 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 袁炳泽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是防止由于过腐蚀构成接触孔内表面的绝缘层所致的保护环区的光刻胶膜剥落，所述过腐蚀发生于利用其中形成有保护环图形的接触掩模形成接触孔的工艺期间。腐蚀工艺期间，通过在任何一个保护环小孔图形侧边不形成保护环小孔图形，在任何一个保护环小孔侧边不形成保护环小孔。因此，保护环小孔区中的光刻胶膜和绝缘层之间具有足够的接触面积，因而，可以防止由于过腐蚀接触孔中的光刻胶膜造成的光刻胶膜剥落。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 接触 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的接触掩模，该掩模包括：透明基片；形成于所述基片上的多个保护环小孔图形，所述多个保护环小孔图形对应于晶片中管芯的边缘部分；形成于所述保护环小孔图形以内的保护环图形，所述保护环图形设置成与所述保护环小孔图形间隔固定的间距；及形成于所述保护环图形以内的多个接触图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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