[发明专利]形成半导体器件的层间绝缘膜的方法

摘要

本发明公开了一种形成层间绝缘膜的方法，能够防止部分层间绝缘膜暴露，从而可以防止绝缘层的弯曲和绝缘层中所含水汽散发。本发明的方法包括以下步骤在分成单元区和外围电路区的底层上形成多个下层金属图形；在底层上形成第一绝缘膜和第二绝缘膜；去除第二绝缘膜直至外围电路区上形成的下层金属图形的上部，由此使第二绝缘膜的某些部分留在下层金属图形之间，从而使外围电路区平面化。然后，在整个结构上形成O3-TEOS氧化膜，以使外围电路区和单元区平面化。

主权项

1.一种形成半导体器件的层间绝缘膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：在分成单元区和外围电路区的底层上形成多个下层金属图形；在包括所述下层金属图形的所述底层上形成第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；去除所述第二绝缘膜直至在所述外围电路区上形成的所述下层金属图形的上部，由此使部分所述第二绝缘膜留在所述下层金属图形之间，从而使所述外围电路区平面化；在整个结构上形成氧化膜，以使所述外围电路区和所述单元区平面化。