[发明专利]在半导体器件上形成光刻胶膜的装置及其形成方法无效
| 申请号： | 97111875.2 | 申请日： | 1997-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1082244C | 公开（公告）日： | 2002-04-03 |
| 发明（设计）人： | 权畅宪 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/312;G03C1/74;B05D5/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 袁炳泽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 根据本发明在半导体器件中形成光刻胶膜的方法包括以下步骤第一步在晶片上涂光刻胶，第二步将高压氮气分散在晶片上用于消除光刻胶膜上形成的微波纹、针孔和脱皮部分，第三步用分散开的高温干燥的氮气除去含在光刻胶膜内的溶剂并烘干光刻胶膜。$ | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 光刻 胶膜 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件中形成光刻胶膜的装置，包括：在晶片上涂光刻胶的光刻胶涂敷装置；第一操作室，在其中高压氮气被分散开使所述晶片上形成的光刻胶膜的表面平面化，所述第一操作室与所述光刻胶涂敷装置相邻；和第二操作室，在其中高温的干燥氮气被分散开用于除去含在光刻胶膜内的溶剂并烘干光刻胶膜，所述第二操作室与所述第一操作室相邻；其中，所述第一操作室包括：外壳；接在所述外壳上端的供气管；用于安装并冷却由所述光刻胶涂敷装置传来的所述晶片的激冷板；用于接收由所述光刻胶涂敷装置传来的所述晶片的晶片装料门；和将所述晶片传送到所述第二操作室的卸料门，所述晶片装料门和卸料门分别形成在所述外壳的两个侧壁上；所述第二操作室包括：外壳；接在所述外壳上端的供气管；用于固定由所述光刻胶涂敷装置传来的所述晶片的真空吸盘；用于接收由所述第一操作室传来的所述晶片的晶片装料门；和将传送所述晶片的卸料门，所述晶片装料门和卸料门分别形成在所述外壳的两侧壁上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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