[发明专利]大功率快速软恢复二极管管芯结构无效
| 申请号： | 97112472.8 | 申请日： | 1997-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1044650C | 公开（公告）日： | 1999-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张清纯;张斌;陈永麒;王晓彬 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/861 |
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体二极管设计领域。本发明（ＳＩＯＤ）包括阳极区、基区、阴极区以及金属薄膜构成的二个电极。阳极区由Ｐ区及多个均匀分布在该Ｐ区中的呈圆形的Ｐ+区，基区为Ｎ区，阴极区由多个条状的Ｎ+区，两相邻Ｎ+区之间形成窄条状的肖特基区组成。本发明具有更佳反向快速软恢复特性，这种结构的二极管具有更佳的特性参数配合，不但具有较小的反向恢复时间，而且大大改善二极管软度因子。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 快速 恢复 二极管 管芯 结构 | ||
【主权项】：
1、一种大功率快速软恢复二极管管芯结构，包括在半导体芯片上扩散不同类型的杂质组成阳极区、基区、阴极区以及在该芯片两面淀积的金属薄膜构成的二个电极，所说的阳极区由低浓底杂质P区及多个均匀分布在该P区中的呈圆形的高浓度杂质P+区构成，所说的基区为低浓底杂质N区，所说的阴极区由多个条状的高浓度N+区，两相邻N+区之间形成窄条状的肖特基区组成，所说的肖特基区由所说的金属膜与低浓度N区构成，占阳极区总面积的40～50％，其特征在于，所说的阳极区中的P区是马鞍形，所说的P+区分布于P区马鞍形的凹部。
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