[发明专利]镉铁复合氧化物气敏半导体材料及其气敏元件无效
| 申请号： | 97112634.8 | 申请日： | 1997-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1153961C | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘杏芹;徐正良;沈瑜生 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种镉铁复合氧化物气敏半导体材料和气敏元件，镉、铁的摩尔比为0.25-1.00。本发明材料可以直接作为气敏材料，又可作为气敏基体材料以不同掺杂进行改性制成气敏元件。本发明对乙炔、乙醇等气体灵敏度高，保持灵敏度的工作范围宽，选择性好，响应、恢复快，稳定性好，适合于一般乙炔、乙醇等气体检漏，特别是适合于变压器绝缘油中低浓度乙炔气体的在线检测。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 氧化物 半导体材料 及其 元件 | ||
【主权项】：
1.一种气敏半导体材料，其特征在于该气敏半导体材料由镉铁CdO-Fe2O3复合氧化物或以此为基础掺入物质制成，其中镉、铁的摩尔比为0.25～1.00。
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