[发明专利]绝缘栅场效应晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 97113529.0 | 申请日： | 1997-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1086513C | 公开（公告）日： | 2002-06-19 |
| 发明（设计）人： | 曼弗雷德·豪夫;马克思·Ｇ·莱维;维克托·Ｒ·纳斯塔西 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 范本国 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管(FET)以及在硅片上形成FET的方法。首先，在硅片表面形成沟槽。在该表面上形成ONO层，并内衬于沟槽。使钾沿ONO层扩散。去除部分ONO层以便暴露出硅表面，使ONO层保留在沟槽内。在暴露的硅片表面形成栅氧化层。最后，在栅氧化层上形成FET栅。所制成的FET沿其侧边的栅氧化层比其沟道中心的要厚。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在晶片的半导体层上形成场效应晶体管(FET)的方法，包括如下步骤：a)在所述半导体层表面内形成沟槽；b)在所述表面上形成电介质层，所述电介质层衬在所述沟槽内；c)沿所述电介质层扩散氧化催化剂；d)将所述半导体材料表面暴露出来，所述电介质层保留在所述沟槽中；e)在所述暴露出的半导体表面形成栅氧化层；f)在所述栅氧化层上形成FET栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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