[发明专利]中间电压发生电路及含有该电路的非易失半导体存储器有效

专利信息
申请号: 97113842.7 申请日: 1997-06-24
公开(公告)号: CN1130775C 公开(公告)日: 2003-12-10
发明(设计)人: 番场博则;宫叶武史 申请(专利权)人: 东芝株式会社
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 赵国华
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明揭示的中间电压发生电路在输出节点(C)和VPP电源端子之间连接上拉用P沟道MOS晶体管(TP1),在输出节点(C)和VSS电源端子间连接下拉用N沟道MOS晶体管(TN6)。输出节点先充电至VPP,若控制信号(SAEN)为L电平,则该节点的电荷经电阻(R1~R5)放电,这时差动放大电路(31A,31B)的输出为H电平,TN6导通,输出节点的电压急速下降。若该电压小于预定值,其后TN6始终截止,TP1导通,输出预定的电压(UOOT)。能高速且低功耗地产生稳定的中间电压。
搜索关键词: 中间 电压 发生 电路 含有 非易失 半导体 存储器
【主权项】:
1.一种中间电压发生电路,其特征在于包括:以规定比值将输出节点的输出电压分压为多个的分压电路;输入基准电压与所述分压电路所分得一个电压的第一差动放大电路;输入所述基准电压与所述分压电路所分得另一电压的第二差动放大电路;加有第一电压的第一端;源极与所述第一端子连接,漏极与所述输出节点连接,栅极加有所述第一差动放大电路输出电压的第一MOS晶体管;加有第二电压的第二端子;源极与所述第二端子连接,漏极与所述输出节点连接,栅极加有所述第二差动放大电路输出电压的第二MOS晶体管。
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