[发明专利]具有存储功能的半导体装置及其数据读出方法无效
申请号: | 97113852.4 | 申请日: | 1997-06-27 |
公开(公告)号: | CN1163907C | 公开(公告)日: | 2004-08-25 |
发明(设计)人: | 澁谷宏治;前野秀史 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | G11C11/407 | 分类号: | G11C11/407 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 姜郛厚;叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体存储装置,它备有:多个存储单元,按行列状排列;多条字线,与上述多个存储单元的各行对应设置;多条位线,与上述多个存储单元的各列对应设置;访问控制装置,用于生成和输出访问上述多个存储单元的每一个用的第1及第2控制信号;字线选择装置,根据上述第1控制信号选择上述多条字线中的任意一条,并将该所选字线激活;及位线选择装置,根据上述第2控制信号选择上述多条位线中的任意一条,并从该所选位线读出数据;上述多个存储单元包含具有连接在其数据保持部与对应位线之间的第1场效应晶体管的第1类存储单元,及具有连接在其数据保持部与对应位线之间的第2场效应晶体管的第2类存储单元。 | ||
搜索关键词: | 具有 存储 功能 半导体 装置 及其 数据 读出 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,它备有:多个存储单元,按行列状排列,各单元具有用于保持数据的数据保持部;多条字线,与上述多个存储单元的各行对应设置;多条位线,与上述多个存储单元的各列对应设置;访问控制装置,用于生成和输出访问上述多个存储单元的每一个用的第1及第2控制信号;字线选择装置,根据从上述访问控制装置输入的上述第1控制信号选择上述多条字线中的任意一条,并将该所选字线激活;及位线选择装置,根据从上述访问控制装置输入的上述第2控制信号选择上述多条位线中的任意一条,并从该所选位线读出数据;上述多个存储单元包含具有连接在其数据保持部与对应位线之间的第1场效应晶体管的第1类存储单元及具有连接在其数据保持部与对应位线之间的第2场效应晶体管的第2类存储单元;上述访问控制装置,在从上述多个存储单元的各个中顺序读出数据时,每当由上述字线选择装置选择上述规定字线时,生成上述第1及第2控制信号,以便在将该规定字线激活后由上述位线选择装置最先选择与该规定的字线连接的上述第1类存储单元所对应的位线。
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