[发明专利]半导体集成电路器件

摘要

本发明揭示一种半导体集成电路器件，包括形成多晶硅层(43)以便到达全部单元晶胞的电源/GND专用的有源区域(23)、(32)，构成MOS电容。也就是说，借助于在取基板电位的扩散层上配置多晶硅层(43)，得到去耦电容。因此，能抑制电源噪声。本发明提供了能具有不要特别的面积、仅在已有的区域吸收电源噪声的去耦电容的半导体集成电路器件。

主权项

1.一种具有多个彼此相邻配置的单元晶胞的集成电路，其特征在于各所述单元晶胞包括：具有第一传导特性的第一晶体管；具有第二传导特性的第一区域；具有所述第二传导特性的第二晶体管；具有所述第一传导特性的第二区域；将第一电压提供给所述第一晶体管和所述第一区域的第一电源线；将第二电压提供给所述第二晶体管和所述第二区域的第二电源线；在电气上与所述第一和第二电压分隔的所述第一和第二区域上延伸的第一电导线。