[发明专利]电子管阴极无效
| 申请号： | 97114109.6 | 申请日： | 1997-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1103490C | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | 斉藤正人;寺本浩行;大平卓也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/14 | 分类号： | H01J1/14;H01J1/26;H01J1/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电子管阴极，包括主要由镍构成的基体(1)；一合金层，置于其基体(1)上，合金层中含有晶粒小于基体晶粒的镍和钨；以及一电子发射材料层(5)，淀积在合金层上，还有至少含钡的碱土金属氧化物(6)和一含量在0.01到25％重量比内的稀土金属氧化物层(7)，其中至少含有氧化钪和氧化钇中之一。此阴极与现有技术阴极相比，即使工作于3A/cm2或以上的电流密度下，也能获得寿命特性的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 电子管 阴极 | ||
【主权项】：
1.一种电子管阴极，包含：主要由镍构成、并含有至少一种还原剂的基体；在该基体上或该基体的表面层上设置的合金层，它含有从由钨、钼、钽组成的组中选出的至少一种金属和镍，该合金层由比构成基体的晶粒小的晶粒构成；以及覆盖所述合金层而形成的电子发射材料层，它含有至少含钡的碱土金属氧化物、和0.01～25重量％的稀土金属氧化物，其中，在所述合金层中，所述从由钨、钼、钽组成的组中选出的至少一种金属的浓度在接近电子发射材料层处较高，且所述合金层厚度不低于1μm。
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