[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 97114610.1 | 申请日: | 1997-07-14 |
公开(公告)号: | CN1131562C | 公开(公告)日: | 2003-12-17 |
发明(设计)人: | 荒川定义;伊藤诚市;西山健一;丸山幸荣 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 把芯片(3)粘到具有镍、钯和金的层叠镀层的引线框架(1)的管芯垫部分(2)上。通过键合工具(20)、边加重约60克把由金丝构成的金属细丝(6)挤压到芯片的电极焊盘(4)上,边加输出功率约55mW的超声波边进行第1键合工序。用加重150~250克把金属细丝(6)挤压到内引线部分(5)上,加上功率为0~20mW的超声波进行适合于层叠镀层的特性的第2键合工序,就可以在不产生金镀层的剥落的情况下、在短时间内进行牢固的接合。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,该半导体器件具备:具有电极焊盘的半导体芯片;由用金属制成的本体和在该本体的上边形成且用软质材料构成的层叠镀层构成,至少具有内引线部分和外引线部分的引线框架;连接上述半导芯片的电极焊盘和上述引线框架的金属细丝,其特征是:上述内引线部分之内,上述层叠镀层的最上层在连接上述金属细丝的区域中的厚度比其它的区域中的厚度厚,且其厚度为能吸收键合时所加的超声波振动的程度。
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