[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

一种适于降低单元区与外围电路区之间台阶覆盖的半导体存储器件及其制造方法；半导体存储器件有存储数据的单元阵列区和控制存储数据的输入和输出的外围电路区，该器件包括形成于单元阵列区的字线和位线，用于连接单元阵列区中各单元；形成于邻近单元阵列区的外围电路区上的虚设图形层，用于降低单元阵列区和外围电路区之间的台阶覆盖。

主权项

1.一种半导体存储器件，该器件包括：在其上限定了单元阵列和外围电路区的半导体衬底；形成于单元阵列上的多个字线；在每个字线的两侧面处半导体衬底表面下形成的杂质扩散区；形成于邻近单元阵列的外围电路区上的字线虚设图形层；形成于包括字线和字线虚设图形的半导体衬底上的第一绝缘层，该层有杂质扩散区的接触孔；为与第一绝缘层上字线一侧的杂质扩散区接触而形成的多个位线；形成于字线虚设图形层上的第一绝缘层上的位线虚设图形；形成于包括位线和位线虚设图形层的第一绝缘层上的第二绝缘层；在第二绝缘层上且其一个电极与字线另一侧的杂质扩散区接触的电容；形成于包括电容的第二绝缘层上的第三绝缘层；形成于第三绝缘层上的多层金属布线。