[发明专利]氧传感元件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 97114948.8 申请日: 1997-05-21
公开(公告)号: CN1122841C 公开(公告)日: 2003-10-01
发明(设计)人: 片渕亨;小林清美;三轮直人;佐野博美;乔藤利孝 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: G01N27/409 分类号: G01N27/409
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王其灏
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 氧传感元件包括一种在其表面有凹坑的固态电解质,和一个成形于该固态电解质的表面上的电极。在制造该氧传感元件的方法中,将包含有形成核的贵金属化合物的溶液首先涂敷到该固态电解质的电极形成部分上,以形成涂层膜。然后,对该涂层膜加热,以形成沉积有贵金属核的形成有核的部分。接下来,对所述形成有核的部分进行金属镀膜,形成深深嵌入凹坑中的镀膜。最后,烧结该镀膜以形成深嵌入该凹坑的电极。
搜索关键词: 传感 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种氧传感元件,该元件包括:一个在其表面有凹坑,在每个所述的凹坑中有更小的凹坑的固态电解质;和一个在该固态电解质的表面上形成的电极,所述的电极以镀膜形式通过贵金属核产生,所述贵金属核的平均颗粒直径为0.05μm或更小和仅在该固态电解质的表面上形成以便使该贵金属核嵌入所述的凹坑和进一步嵌入所述的更小的凹坑内,以致使该电极嵌入该凹坑和更进一步嵌入所述的更小的凹坑中,以确保该电极与该固态电解质的表面的粘接力。
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