[发明专利]具有间断绝缘区的半导体IC器件及其制造方法无效
| 申请号： | 97115003.6 | 申请日： | 1997-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1178389A | 公开（公告）日： | 1998-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李晟珉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有间断绝缘区的半导体IC器件及其制造方法,所述半导体器件包括其上形成有多个半导体芯片的器件区;用于将半导体芯片分成分离的半导体芯片的划片区;及绝缘层;其中间断绝缘区形成于划片区上,使器件区上的绝缘层与划片区上的绝缘层彼此断开。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 间断 绝缘 半导体 ic 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体IC器件的方法，所述方法包括以下步骤：(a)制备具有器件区、划片区及绝缘层的半导体晶片，半导体晶片的有源表面上形成有多个半导体芯片，划片区用来将晶片上的半导体芯片分成分离芯片，绝缘层遍及晶片的有源表面形成；(b)选择地去掉划片区上的绝缘层，使绝缘层断开；及(c)沿划片区对晶片进行划片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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