[发明专利]电子器件的低α发射互连系统及其形成方法无效
| 申请号： | 97115325.6 | 申请日： | 1997-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1148802C | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 盖伊·保罗·布罗伊莱蒂;戴韦·赫什·达诺维奇;迈克尔·里厄;威廉·T·毛西福;朱蒂斯·玛丽·罗丹;卡洛斯·居安·萨布塞提;拉威·F·萨拉夫 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于电子器件的具有低α粒子发射特性的互连系统，该系统包括：半导体芯片和基片，所述芯片具有上表面和设置于所述上表面的导电区上的间隔电阻性凸点，所述电阻性凸点由聚合物粘合剂和金属颗粒的复合材料构成，所述基片具有在键合工艺中把电阻性凸点键合于其上的导电区，其中电阻性凸点在键合工艺后转变成导电凸点。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 发射 互连 系统 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于电子器件的具有低α粒子发射特性的互连系统，该系统包括：电子器件，所述器件具有上表面和设置于所述上表面的导电区上的间隔电阻性凸点，所述电阻性凸点包括由聚合物粘合剂和金属颗粒构成的复合材料，基片，所述基片具有在键合工艺中把所述电阻性凸点键合于其上的导电区，其中所述电阻性凸点在所述键合工艺后转变成导电凸点。
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