[发明专利]一种装配半导体元件到衬底上的方法无效
申请号: | 97115428.7 | 申请日: | 1997-07-23 |
公开(公告)号: | CN1121062C | 公开(公告)日: | 2003-09-10 |
发明(设计)人: | 山本诚一 | 申请(专利权)人: | 夏普公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485;H05K13/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马莹 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体元件/衬底装配方法,通过下列步骤形成:在第1步骤,在具有导电部分的衬底上覆盖树脂膜;在第2步骤,进行热压,使凸起穿过树脂膜和导电部分接触并电连接;在第3步骤,对所述半导体元件进行电测试;在第4步骤,进行热压,使凸起和导电部分在半导体元件和衬底之间形成合金。 | ||
搜索关键词: | 一种 装配 半导体 元件 衬底 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体元件的装配方法,用于装配具有凸起的半导体元件,使各凸起和衬底的导电部分相连,其包括下列步骤:第1步骤,在具有所述导电部分的所述衬底上覆盖一树脂膜;第2步骤,进行热压使所述凸起穿透该所述树脂膜和所述导电部分接触并电连接;第3步骤,对所述半导体元件进行电测试;以及第4步骤,进行热压使所述各凸起和所述导电部分在所述半导体元件和衬底之间形成合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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