[发明专利]虚地结构的矩阵存储器

摘要

具有改善的虚地结构和分析电路的矩阵存储器,在读过程中,可以从中通过位线同时读出二个相邻的存储单元(Zn,k)的信息内容。每一个预先规定用于读的位线(BLn)和二个各自行内的相邻的场效应晶体管的漏极端口相连接。源极端口被置于两个不同电位中的某一个上。根据情况,在选择了相关字线的情况下,导通一些场效应晶体管,在位线上获得不同的合成电位,在分析电路中被转换成二进制信号,它代表了被读出的信息。

主权项

1.具有按行和列排列的存储单元(Zn，k)的矩阵存储器，其中，这个存储单元被预先规定用于存储一个逻辑“0”或“1”，其中，具有一个第一，一个第二和一个第三端口的可变导电电阻被排列在每一个存储一个逻辑“0”的这个存储单元中，其中，所有的这些排列在成偶数编号列中的电阻总是按列排列得到，以致当在这个第一端口上加上一个第一级预先确定的电位(Vpc)，在这个第二端口上加上一个第二级预先确定的电位(Vgnd)和在这个第三端口上加上一个第三级预先确定的电位(VWL)时，在第一端口和第二端口之间的这个电阻是如此低，以致在一个预先规定用于读过程的时间内，进行平衡在这个第一和这个第二端口之间的电位差，并且以致当在这个第一端口上加上这个第一级预先规定的电位在这个第二端口上加上这个第二级预先规定的电位和在这个第三端口上加上一个第四级预先规定的电位(Vgnd)时，在第一和第二端口之间的这个电阻是如此高，以致基本上在保持这个预先规定用于读过程的时间时，在这个第一端口和这个第二端口之间的电位差保持不变；并且所有这些排列在非偶数编号列中的电阻总是按列编号得到，以致当在这个第一端口上加上这个第一级预先确定的电位，在这个第二端口上加上一个不同于这个第二级预先确定的电位的第五级预先确定的电位(Vvm)和在这个第三端口上加上这个第三级预先规定的电位时，在这个第一和这个第二端口之间的这个电阻是如此低，以致在一个预先规定用于读过程的时间内，进行平衡在这个第一和这个第二端口之间的电位差，并且当在这个第一端口上加上这个第一级预先确定的电位，在这个第二端口上加上这个第五级预先确定的电位和在这个第三端口上加上这个第四级预先确定的电位时，在这个第一和这个第二端口之间的这个电阻是如此高，以致基本上在保持这个预先规定用于读过程的时间时，在这个第一端口和第二端口之间的电位差保持不变。其中存在位线(BLn)，它总是只与所有这些电阻的第一端口电导通地连接在一起，或者都是只与所有这些电阻的第二端口电导通地连接在一起，这些电阻排列在这些列的某一列中，其中，在每一个由一个非偶数编号列和一个接下来的成偶数编号列所组成的对上，这些位线之一与这样电阻的所有第一端口连接在一起，这些电阻被排列在这对的列中，在每一个由一个成偶数编号列和一个接下来的非偶数编号列所组成的对上，这些位线之一与这样电阻的所有第二端口连接在一起，这些电阻被排列在这对的列中，其中，存在字线(WLK)，它总是与这样电阻的第三端口电导通地连接在一起，这个电阻被排列在这样单元的某一单元中，其中，预先规定了开关(Sn，pc，Sn，gnd，Sn，vm)，通过它位线与这个第一级、这个第二级和这个第五级预先确定的电位(Vpc，Vgnd，Vvm)是可以如此连接的，即在每一个由一个非偶数编号列和一个接下来的成偶数编号列所组成的对上，这个第一级预先确定的电位可以被加到这些电阻的第一端口上，这些电阻被排列在这对的列中，这个第二级预先确定的电位可以被加到这些电阻的第二端口上，这些电阻被排列在这对的成偶数编号的列中，这个第五级预先确定的电位可以被加到这些电阻的第二端口上，这些电阻被排列在这对的非偶数编号的列中，其中，预先规定了开关(S′k，vwl，S′k，gnd)，通过它这些位线可以和这个第四级预先确定的电位相连接，并且通过它这些位线中的一个可以和这个第三级预先确定的电位相连接，其中，预先规定了其它开关(Sn，read)，通过它一个位线总可以和一个分析电路(AWS)相连接，这个位线与一部分这些电阻的第一端口连接在一起。