[发明专利]热电半导体及其制造工艺无效
| 申请号： | 97115568.2 | 申请日： | 1997-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1155121C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 都能克博;东松刚;渡边日出男 | 申请（专利权）人： | 株式会社泰库诺瓦;财团法人工程振兴协会 |
| 主分类号： | H01L35/00 | 分类号： | H01L35/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李湘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种热电半导体，它包括p型半导体层、n型半导体层、通过焊剂层分别连接于所述p型和n型半导体层上端表面的上电极、通过焊剂层分别连接于所述p型和n型半导体层下端表面的下电极，其中：所述p型和n型半导体层分别由铋-碲半导体颗粒的烧结层形成；在所述上电极和其对应焊剂层之间以及在所述下电极和其对应焊剂层之间分别分布金属层；所述烧结的p型和n型半导体层中的所述铋-碲半导体颗粒的结晶a轴与所述金属层的平面垂直；以及所述金属层由从铜、铜合金、铝和铝合金中所选的一种组成。本发明还揭示了一种制造该热电半导体的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 热电 半导体 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种热电半导体，它包括p型半导体层(13P)、n型半导体层(13N)、通过焊剂层(20)分别连接于所述p型和n型半导体层(13P、13N)上端表面的上电极(21)、通过焊剂层(20)分别连接于所述p型和n型半导体层(13P、13N)下端表面的下电极(22)，其特征在于：所述p型和n型半导体层(13P、13N)分别由铋-碲半导体颗粒的烧结层形成；在所述上电极(21)和其对应焊剂层(20)之间以及在所述下电极(22)和其对应焊剂层(20)之间分别分布金属层(14)；所述烧结的p型和n型半导体层(13P、13N)中的所述铋-碲半导体颗粒的结晶a轴与所述金属层(14)的平面垂直；以及所述金属层(14)由从铜、铜合金、铝和铝合金中所选的一种组成。
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