[发明专利]导电性防反射膜、导电性防反射膜的制造方法及阴极射线管无效
| 申请号： | 97115589.5 | 申请日： | 1997-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1135599C | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 千草尚;阿部美千代;青木克之 | 申请（专利权）人： | 东芝株式会社 |
| 主分类号： | H01J29/88 | 分类号： | H01J29/88;H01J9/00;C03C17/34;C03C17/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 刘立平 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种导电性防反射膜的制造方法，包括：在含有导电性材料的第一涂膜上，在烧结的条件下，其膨胀率与该涂膜几近相等的第二涂膜，同时烧结第一及第二涂膜。由此，可得到其表面电阻值充分地低、具有优异的耐水性及耐药剂性、其反射光强降低的导电性防反射膜。将该导电性防反射膜适当用于阴极射线管，可基本上防止AEF的发生，同时可由此制得可长期显示高画面质量图象的阴极射线管。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 反射 制造 方法 阴极射线管 | ||
【主权项】：
1.一种导电性防反射膜，包括：含有导电性微粒的第一层，及设置于该第一层之上、含有由(1)SiO2及(2)以通式RnSiO(4-n)/2表示的结构单元中的至少一种所构成的高分子化合物的第二层，上述通式中，R为取代或非取代的有机基团，n为1～3的整数。
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