[发明专利]一种静电感应器件及其制造方法无效
| 申请号： | 97115773.1 | 申请日： | 1997-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1121069C | 公开（公告）日： | 2003-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李思渊;何山虎;李寿嵩;唐金科;张秀文;张旗;刘肃;毕祥林;卢小莹;田仁杰 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 730000 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开一种静电感应器件及其制造方法。本发明的器件是在基片的高阻区内所形成的栅条及栅墙之上形成绝缘层，在栅条间的沟道区之上形成源区，且所述的源区被位于栅条上的绝缘层隔开。本发明的方法是在单晶基片上以外延方法形成高阻层，再在所述的高阻层中以注入或扩散杂质形成栅区，再通过氧化和沉积方法形成单晶—介质相间的二元衬底表面，然后在其上用外延形成第二高阻层，即在形成栅区后再在栅墙、栅条及沟道表面以外延方法同步生成二元外延层，其中在栅墙和栅条上方形成多晶层或非晶层，在沟道上方形成单晶层，然后再在单晶层中以注入或扩散方式形成源区，最后再开出引线孔并制做电极、封装制成器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电感应 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种静电感应器件，在其芯片的漏区之上有一高阻硅外延层，在所述的高阻硅外延层中有栅区，在栅区上有源区，所述的栅、漏、源区均设有引线，其特征在于在所述的高阻硅外延层内形成的栅条及栅墙之上形成绝缘层，在栅条间的沟道区之上形成源区，且所述的源区被位于栅条上的绝缘层和多晶硅层隔开。
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