[发明专利]存储装置,半导体装置无效
| 申请号： | 97116156.9 | 申请日： | 1997-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1126109C | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | 长田健一;樋口久幸;石桥孝一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;H01L27/11 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储装置，具备有：存储器阵列(BANK1)；连接于读出放大器(104)上的第1全程位线(RGBL)；连接到写入放大器(102)上的第2全程位线(WGBL)；和使上述多条位线(LBL)选择性地连到上述第1全程位线(RGBL)和第2全程位线(WGBL)上的选择电路(YSW1)。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，该装置具备：具有存储单元和用字线选择性地连接到上述存储单元上的位线的存储器阵列；使上述位线变成规定的电位的预充电电路；及写入电路，其中，使得在从上述存储单元向上述位线上进行的数据读出和从上述写入电路向上述位线上进行的数据的写入期间，不用上述预充电电路对位线进行预充电。
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