[发明专利]为实现静电放电保护而使用非电阻特性物质的半导体元件无效
| 申请号： | 97116164.X | 申请日： | 1997-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1143385C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 洪起元;金南镐;赵大卫 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马涛 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种保护芯片内部以防止ESD(静电放电)及浪涌脉冲损伤的与另外保护电路无关而在完成封装或制造芯片的过程中实现的半导体元件，其构成如下：引线框架各自的输出入管脚利用在特定电压具有导电体性质的非电阻特性物质连接，或者将供应电源线、接地电源线及连接输出入焊接点和芯片的内部电路的信号线之间各自连接于非电阻特性物质。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 静电 放电 保护 使用 电阻 特性 物质 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种具有内部电路的半导体元件，其包括：将输入的信号输入到内部电路的输入管脚；电源管脚和接地管脚，分别向内部电路提供电源电压和接地电压；和放电元件，其耦合到所述输入管脚、所述电源管脚和所述接地管脚上，作为内部电路下方的变阻器的形式，以便有选择地将不正常的输入信号排放到电源管脚或接地管脚上。
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