[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

提供一种电容器与晶体管的导电连接良好的半导体装置及其制造方法。作为电容器的下部电极的存储节点7a通过覆盖第1多晶硅膜7c上形成的开口部分13的第2多晶硅膜7d，与埋入于接触孔6内的多晶硅柱状导电体7b进行导电连接。再者，该多晶硅柱状导电体通过接触点6a与MOS晶体管T的源、漏区4a进行导电连接。

主权项

1.一种具有电容器的半导体装置，其特征在于，备有：在半导体衬底的主表面上形成的导电层；在包含所述导电层的所述半导体衬底的主表面上形成的绝缘膜；为了露出所述导电层的表面而在所述绝缘膜上设置的接触孔中以不超过该接触孔的上端的方式埋入导电体而形成的柱状导电体部分；下部电极，包括第1导电体部分和第2导电体部分，第1导电体部分在包含所述接触孔上方的所述绝缘膜上的规定区域中形成，同时至少具有露出所述柱状导电体部分的上端表面的开口部分，第2导电体部分在所述开口部分内在该开口部分的侧面、所述绝缘膜的表面、所述柱状导电体部分的上端表面上形成，而且在所述第1导电体部分的上表面上形成，使所述柱状导电体部分与所述第1导电体部分进行导电连接；上部电极，包括第3导电体部分，第3导电体部分在所述第2导电体部分的表面上将电介质膜夹在中间而形成；第1导电体部分的平面形状实质上是矩形，开口部分比矩形的短边尺寸较大。