[发明专利]动态随机存取存储器结构及其制造方法

摘要

一种动态随机存取存储器结构及其制造方法，包括在半导体基底上形成一电容结构、一埋藏的位元线结构与一字元线结构，电容结构垂直对准字元线结构上方，至于埋藏的位元线结构则垂直对准字元线结构下方。此种结构将字元线结构垂直形成于一窄的元件凹洞中，上下包夹绝缘层，可以减少在半导体基底上所占的面积。

主权项

1.一种动态随机存取存储器的制造方法，其在一半导体基底上形成一电容结构与一晶体管结构，该电容结构垂直对准该晶体管结构，包括下列步骤：(a)在该半导体基底上形成一第一绝缘层；(b)在该第一绝缘层中形成复数个沟槽；(c)在该些沟槽中淀积一多晶硅层；(d)蚀刻部分该多晶硅层表面，使该多晶硅层陷入该些沟槽中，形成复数个位元线的结构；(e)在该些位元线与该第一绝缘层上淀积一第二绝缘层，并进行平坦化步骤，使该第二绝缘层具有平坦的表面；(f)在该第二绝缘层上淀积一第一多晶硅层；(g)在该第一多晶硅层上形成一薄的氧化硅层；(h)设定该薄的氧化硅层与该第一多晶硅层的图案，使得在该第二绝缘层上形成一字元线的结构；(i)在该字元线旁侧形成一金属硅化物的间隙壁；(j)在该字元线与该第二绝缘层上淀积一第三绝缘层；(k)进行光刻与蚀刻步骤，设定图案并依序蚀刻该第三绝缘层、该字元线、该第二绝缘层与该第一绝缘层，直到露出该位元线，形成一窄的元件凹洞；(1)在该元件凹洞的侧壁露出该字元线的部分形成一栅极绝缘层；(m)在该元件凹洞中淀积一第一非晶硅层，并设定图案，蚀刻该第一非晶硅层而在该元件凹洞的侧壁上形成一非晶硅侧壁；(n)在该元件凹洞中淀积一第二多晶硅层；(o)进行离子注入步骤，对位于该第三绝缘层上的该第二多晶硅层进行离子的掺杂，以及对该元件凹洞底部的该第二多晶硅层进行离子的掺杂，至于在该元件凹洞侧壁的该第二多晶硅层则未掺杂离子；(p)在该元件凹洞中淀积一第二非晶硅层，用以填满该元件凹洞；(q)进行一退火步骤，使得该第二非晶硅层、该第二多晶硅层与该第一非晶硅层成为单晶硅层，并进行多次不同剂量的离子掺杂步骤，在该元件凹洞中由下而上依序形成一第一浓掺杂源极/漏极区、一第一浅掺杂源极/漏极区、一单晶硅层与一第二浓掺杂源极/漏极区，该单晶硅层与该字元线的侧边相连接，于是形成垂直的该晶体管结构；(r)在该第二浓掺杂源极/漏极区上淀积一第三多晶硅层；(s)设定该第三多晶硅层的图案，以形成一储存节点，该储存节点位于该第二浓掺杂源极/漏极区上；(t)在该储存节点上淀积一介电层；(u)在该介电层上淀积一第四多晶硅层；以及(v)设定该第四多晶硅层的图案，于是形成该电容的结构。