[发明专利]半导体集成电路的定时劣化模拟装置和模拟方法无效
申请号: | 97117527.6 | 申请日: | 1997-08-28 |
公开(公告)号: | CN1130764C | 公开(公告)日: | 2003-12-10 |
发明(设计)人: | 米泽浩和 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/28 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 为避免对可靠性的过度要求,在设计阶段预测LSI随时间的劣化并模拟劣化后动作的装置和方法。可靠性库生成装置驱动电路可靠性模拟器生成可靠性库。单元延时劣化估算装置,参照可靠性库估算各单元延迟随时间而劣化的程度。定时劣化估算装置根据延迟劣化程度估算劣化后各单元的延迟,并生成劣化后定时。逻辑模拟器以劣化后定时为基础,模拟劣化后动作。因此,可切合实际的动作以良好的精度表现各信号通路的定时劣化。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 定时 模拟 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路的定时劣化模拟装置,其特征在于,具备:单元延时劣化估算装置,用于边参照表示电路单元的特性劣化程度对规定的动作条件的依赖性的可靠性库,边根据上述半导体集成电路动作时的该电路单元的上述规定的动作条件的值,估算构成作为对象的半导体集成电路的各电路单元的延时的随时间而发生的劣化程度;半导体集成电路定时劣化估算装置,用于根据用上述单元延时劣化估算装置估算出来的各电路单元的延时劣化程度,估算随时间而发生的劣化后的上述半导体集成电路中的各电路单元的延时,且根据用上述半导体集成电路定时劣化估算装置估算出来的劣化后的上述半导体集成电路中的各电路单元的延时,模拟上述半导体集成电路的劣化后的动作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造