[发明专利]卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法

摘要

本发明涉及一种卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法，其在压合有双面薄铜型式的聚亚醯胺膜经第一道干膜，以蚀刻底层薄铜形成多个缺口，并通过激光钻孔方式使聚亚醯胺膜蚀刻形成多个对应于缺口的孔洞，经第二道干膜，使上表面电镀形成电镀铜及电镀锡电镀层，经去除底层薄铜、孔洞电解电镀形成外突接点、蚀刻顶层薄铜、剥电镀锡、激光钻孔、覆盖溅镀掩膜而形成供焊接芯片的溅镀凸点，使外接接点更细微并可缩小封装面积。$＃!

主权项

1．一种卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法，其特征在于包括：一取用含有双面薄铜的聚亚醯胺膜为基材的步骤，一通过第一干膜做为掩膜，进行聚亚醯胺膜的下层薄铜进行蚀刻形成具有多个缺口的步骤，一运用该下层薄铜做为掩膜，对基材的聚亚醯胺膜部位进行激光钻孔，形成孔洞图形的蚀刻步骤，一运用第二干膜做为掩膜，对基材上表面处实施电镀铜及电镀锡的步骤，一运用第三干膜，蚀刻去除下层薄铜的步骤，一通过第四干膜保护基材上层，而在聚亚醯胺膜的各孔洞实施电解电镀而形成填满各孔洞及略外突的电解电镀接点的步骤，一运用第五干膜保护基材底面，仅蚀刻介于各电镀铜之间呈外露的薄铜以及电镀锡，而使各相邻的电镀铜相互隔开的步骤，一对基材中央及需形成贯通的部位进行激光钻孔，以分别形成位于基材中央的芯片安装孔及外围的激光贯孔的步骤，一覆盖掩膜，且使基材中央的电镀铜近端缘呈外露的步骤，一溅镀金属，而使对应于该电镀铜的外露部位形成溅镀凸点的步骤，及一去除掩膜以及在对应于溅镀凸点位置结合芯片的步骤。