[发明专利]卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法无效
申请号: | 97117544.6 | 申请日: | 1997-08-28 |
公开(公告)号: | CN1050930C | 公开(公告)日: | 2000-03-29 |
发明(设计)人: | 蔡维人 | 申请(专利权)人: | 华通电脑股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 章蔚强 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法,是于压合有单面铜型式的聚亚酰胺膜(POLYIMIDE)下方进行蚀刻形成接点孔洞、表层电镀铜/锡、孔洞电解电镀形成外突接点、蚀刻表面薄铜、去锡层、激光钻孔、覆盖溅镀遮罩而形成供焊接芯片的溅镀接点,而可使外接接点更具细微效果以及仅需单点焊接方式焊接芯片而可缩小封装面积。 | ||
搜索关键词: | 自动 焊接 阵式 集成电路 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法,其特征在于包括下列步骤:取用含有单面薄铜的聚亚酰胺膜为基材;对基材的聚亚酰胺膜部位形成孔洞图形的蚀刻;对基材上表面进行第一干式薄膜的压合、曝光和显影;在第一干式薄膜未覆盖的上表面处实施电镀铜及电镀锡,而该电镀层的厚度约与第一干式薄膜顶面平齐;在基材上表面压合第二干式薄膜,以保护上表面电镀层;在聚亚酰胺膜的各孔洞实施电解电镀而形成填满各孔洞及略外突的电解电镀接点;去除第二和第一干式薄膜;蚀刻位在介于各电镀铜之间呈外露的薄铜,而使各电镀铜与电镀锡相互隔开;于底面覆盖第三干式薄膜、去除上表面电镀锡以及去除第三干式薄膜;对基材中央及需形成贯通的部位进行激光钻孔,以分别形成基材中央的激光孔及外围的激光穿孔;覆盖掩模,且使基材中央的电镀铜近端缘呈外露;溅镀金属,而使对应于该电镀铜的外露部位形成溅镀凸点;及去除掩模以及在对应于溅镀凸点结合芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造