[发明专利]类金刚石薄膜形成装置和形成方法

摘要

本发明的课题是获得一种与基材密接性好、高硬高且平整性出色的高质量金刚石状碳(DLC)薄膜。它包括在真空槽1内保持基材3的基材基座4;调整基材3温度的基材温度调整机构6;与基材3相对的气体离子源10;在基材3上加电压的偏置手段5,上述气体离子源10由与基材3相对设有节流孔的反应气体导入室11;热电子辐射手段12;热电子引出电极13和加速电极15组成。此外,包括具有热电子辐射手段12和向基材3加速离子的加速电极15的气体离子源10,同时具有相对于加速电极15在基材3上加电压的第1偏置手段20和在热电子辐射手段12上加电压的第2偏置手段21,第1、第2偏置手段设法分别按时间函数加电压。

主权项

1.一种类金刚石薄膜形成装置，在基材上形成类金刚石薄膜，其特征在于，所述类金刚石薄膜形成装置包括：保持内部成规定的真空度的真空槽；在该真空槽内保持所述基材的基材支持器；调整所述基材的温度的基材温度调整机构；在所述真空槽内相对于所述基材设置的、发生被离解的碳与碳离子和被离解的氢与氢离子的气体离子源；所述气体离子源由向着所述基材设节流孔、而且导入气体的反应气体导入室，设置在所述反应气体导入室内并放射热电子的热电子放射手段，从所述热电子放射手段引出热电子的热电子引出电极，设置在所述反应气体导入室的外侧上并向着所述基材对所述离子进行加速的加速电极组成，对于所述加速电极、在所述基材上施加电压的偏置手段。